Справочник MOSFET. AP4528GM

 

AP4528GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4528GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8(4.5) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9(6.4) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70(110) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036(0.06) Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4528GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  ape
ap4528gm.pdfpdf_icon

AP4528GM

AP4528GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD2D2 Fast Switching Performance RDS(ON) 36mD1D1 Lower Gate Charge ID 5.8AG2S2P-CH BVDSS -40VG1S1SO-8RDS(ON) 60mDescription ID -4.5AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designerwith the

 7.1. Size:190K  ape
ap4528gh.pdfpdf_icon

AP4528GM

AP4528GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 32m Fast Switching Performance ID 7.4AS1P-CH BVDSS -40VG1S2G2RDS(ON) 52mDescription ID -6.1ATO-252-4LD1D2The Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesign

 9.1. Size:120K  ape
ap4526agh-hf.pdfpdf_icon

AP4528GM

AP4526AGH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 32m Fast Switching Performance ID 7.7AS1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40VG1S2RDS(ON) 42mG2Description ID -6.7ATO-252-4LD1D2Advanced Power MOSFE

 9.2. Size:95K  ape
ap4527gn3.pdfpdf_icon

AP4528GM

AP4527GN3PreliminaryAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2D2 Bottom Exposed DFN N-CH BVDSS 20VD1D1 Low On-resistance RDS(ON) 35m Lower Profile ID 4.7AS2G2S1DFN3*3 RoHS Compliant G1 P-CH BVDSS -20VRDS(ON) 65mID -3.3AD2D1G1 G2S2S1Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Units N-channe

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.