Справочник MOSFET. AP4529GH

 

AP4529GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4529GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4(6.6) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15(33) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70(110) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032(0.042) Ohm
   Тип корпуса: TO252-4L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4529GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  ape
ap4529gh.pdfpdf_icon

AP4529GH

AP4529GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 32m Fast Switching Performance ID 7.4AS1P-CH BVDSS -40VG1S2RDS(ON) 42mG2Description ID -6.6ATO-252-4LD1D2The Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesign

 9.1. Size:120K  ape
ap4526agh-hf.pdfpdf_icon

AP4529GH

AP4526AGH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 32m Fast Switching Performance ID 7.7AS1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40VG1S2RDS(ON) 42mG2Description ID -6.7ATO-252-4LD1D2Advanced Power MOSFE

 9.2. Size:95K  ape
ap4527gn3.pdfpdf_icon

AP4529GH

AP4527GN3PreliminaryAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2D2 Bottom Exposed DFN N-CH BVDSS 20VD1D1 Low On-resistance RDS(ON) 35m Lower Profile ID 4.7AS2G2S1DFN3*3 RoHS Compliant G1 P-CH BVDSS -20VRDS(ON) 65mID -3.3AD2D1G1 G2S2S1Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Units N-channe

 9.3. Size:115K  ape
ap4525geh-hf.pdfpdf_icon

AP4529GH

AP4525GEH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 28m Fast Switching Performance ID 15AS1G1S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40VG2RDS(ON) 42mTO-252-4LDescription ID -12AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: PJS6403 | TPH4R008NH | VMM1500-0075X2 | IXFN100N10S1 | FDD9407-F085 | NCE2301A | KP809D

 

 
Back to Top

 


 
.