2SK579L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK579L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для 2SK579L
2SK579L Datasheet (PDF)
2sk579l.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK579LFEATURESDrain Current : I = 1.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.5(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno
2sk579s.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK579SFEATURESDrain Current : I = 1.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.5(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno
Другие MOSFET... AP4563AGH-HF , AP4563GH-HF , AP4563GM , AP4569GD , 2SK56 , 2SK559 , 2SK560 , 2SK578 , IRF1010E , 2SK580L , 2SK579S , 2SK580S , 2SK583 , 2SK620 , 2SK655 , 2SK656 , 2SK657 .
History: 2SK430S
History: 2SK430S
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733



