AP4800GM - аналоги и даташиты транзистора

 

AP4800GM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP4800GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP4800GM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4800GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  ape
 ap4800gm.pdf pdf_icon

AP4800GM

AP4800GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow On-Resistance BVDSS 25V DDFast Switching D RDS(ON) 18m DSimple Drive Requirement ID 9A GSSSO-8SDescriptionDDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

 7.1. Size:95K  ape
 ap4800gyt-hf.pdf pdf_icon

AP4800GM

AP4800GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 13m RoHS Compliant ID 13AGSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDdesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resis

 7.2. Size:223K  ape
 ap4800gem.pdf pdf_icon

AP4800GM

AP4800GEMHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VDDD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 18mD Low On-resistance ID 9.2AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAP4800 series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technolog

 8.1. Size:94K  ape
 ap4800dgm-hf.pdf pdf_icon

AP4800GM

AP4800DGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 18mD Fast Switching Characteristic ID 9AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fas

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP4575GM-HF , AP4578GD , AP4578GH-HF , AP4578GM-HF , AP4800AGM-HF , AP4800BGM-HF , AP4800CGM-HF , AP4800DGM-HF , 7N60 , AP4800GYT-HF , AP4810GSM , AP4813GSM-HF , AP4813GYT-HF , AP4820AGYT-HF , AP4820GYT-HF , AP4835GM , AP4835GMT-HF .

History: AP05N20GJ-HF | IRLU3715ZPBF | FQP11N40 | 2SK1681 | TDM3532 | SI5N60L-TA3-T

 

 
Back to Top

 


 
.