AP4813GSM-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP4813GSM-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AP4813GSM-HF
AP4813GSM-HF Datasheet (PDF)
ap4813gsm-hf.pdf
AP4813GSM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKYElectronics Corp. DIODE Simple Drive Requirement BVDSS 30VDDD Good Recovery Time RDS(ON) 9mD Fast Switching Performance ID 13AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSO-8SDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the Schottky DiodeGdesigner with the best comb
ap4813gyt-hf.pdf
AP4813GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKYElectronics Corp. DIODED Simple Drive Requirement BVDSS 30V Good Recovery Time RDS(ON) 10mSchottky Diode Small Size & Lower Profile ID 15AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fas
ap4816gsm.pdf
AP4816GSMRoHS-compliant ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITHElectronics Corp. SCHOTTKY DIODES1/D2 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30VS1/D2S1/D2 DC-DC Converter Suitable RDS(ON) 22mD1 Fast Switching Performance ID 6.7AG2CH-2 BVDSS 30VS2/AS2/ASO-8RDS(ON) 13mG1Description ID 11.5AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the des
ap4810gsm.pdf
AP4810GSMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKYElectronics Corp. DIODE Simple Drive Requirement BVDSS 30VDDD Good Recovery Time RDS(ON) 13.5mD Fast Switching Performance ID 11AGSSSO-8SDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the Schottky DiodeGdesigner with the best combination of fast switching,rugge
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: TPC8003
History: TPC8003
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918