AP5331GM-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP5331GM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: SO10

Аналог (замена) для AP5331GM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5331GM-HF даташит

 ..1. Size:93K  ape
 ap5331gm-hf.pdf pdf_icon

AP5331GM-HF

AP5331GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 150V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID 2.3A Halogen Free & RoHS Compliant Product D2 D2 D1 Description D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G2 S2 designer with the best combination

Другие IGBT... AP50T10GH-HF, AP50T10GI-HF, AP50T10GJ-HF, AP50T10GM-HF, AP50T10GP-HF, AP50T10GS-HF, AP5321GM-HF, AP5322GM-HF, AO3400, AP5521GH-HF, AP5521GM-HF, AP55T06GI-HF, AP55T06GS-HF, AP55T10GH-HF, AP55T10GI-HF, AP55T10GP-HF, AP55T10GS-HF