Справочник MOSFET. AP5331GM-HF

 

AP5331GM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP5331GM-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: SO10
 

 Аналог (замена) для AP5331GM-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5331GM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  ape
 ap5331gm-hf.pdf pdf_icon

AP5331GM-HF

AP5331GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 150V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID 2.3A Halogen Free & RoHS Compliant ProductD2D2D1Description D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide theG2S2designer with the best combination

Другие MOSFET... AP50T10GH-HF , AP50T10GI-HF , AP50T10GJ-HF , AP50T10GM-HF , AP50T10GP-HF , AP50T10GS-HF , AP5321GM-HF , AP5322GM-HF , IRF3710 , AP5521GH-HF , AP5521GM-HF , AP55T06GI-HF , AP55T06GS-HF , AP55T10GH-HF , AP55T10GI-HF , AP55T10GP-HF , AP55T10GS-HF .

History: HUFA76443S3S | RFP8N20L | QM2605V | ELM35601KA | FQB27P06TM | CEP04N7G | PJA3402

 

 
Back to Top

 


 
.