Справочник MOSFET. AP5331GM-HF

 

AP5331GM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP5331GM-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: SO10
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5331GM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  ape
 ap5331gm-hf.pdf pdf_icon

AP5331GM-HF

AP5331GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 150V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID 2.3A Halogen Free & RoHS Compliant ProductD2D2D1Description D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide theG2S2designer with the best combination

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STD16NF06L | HM40N10KA | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | 2SK2420

 

 
Back to Top

 


 
.