AP60T03GP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP60T03GP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 57.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AP60T03GP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60T03GP даташит

 ..1. Size:200K  ape
 ap60t03gp ap60t03gs.pdf pdf_icon

AP60T03GP

AP60T03GS/P RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 12m Fast Switching Speed ID 45A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-e

 6.1. Size:186K  ape
 ap60t03gh.pdf pdf_icon

AP60T03GP

AP60T03GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 45A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60T03 series are from Advanced Power innovated d

 6.2. Size:98K  ape
 ap60t03gh j-hf.pdf pdf_icon

AP60T03GP

AP60T03GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 45A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized

 6.3. Size:121K  ape
 ap60t03gi.pdf pdf_icon

AP60T03GP

AP60T03GI RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Low Gate Charge RDS(ON) 12m Fast Switching ID 45A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effective

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP55T10GS-HF, AP60N03GH, AP60N03GJ, AP60N03GP, AP60N03GS, AP60T03GH-HF, AP60T03GI, AP60T03GJ-HF, 2N7002, AP60T03GS, AP60T06GJ-HF, AP60T06GP-HF, AP60T10GI-HF, AP60T10GP, AP60T10GS, AP62T03GH, AP62T03GJ