Справочник MOSFET. AP6679GP

 

AP6679GP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6679GP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AP6679GP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6679GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  ape
ap6679gp.pdfpdf_icon

AP6679GP

AP6679GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DS TO-263(S)ruggedized device desi

 0.1. Size:60K  ape
ap6679gp-a ap6679gs-a.pdfpdf_icon

AP6679GP

AP6679GS/P-APb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 13.5m Fast Switching Characteristic ID -65AG RoHS CompliantSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DS TO-

 0.2. Size:97K  ape
ap6679gp-hf ap6679gs-hf.pdfpdf_icon

AP6679GP

AP6679GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -75AG RoHS CompliantSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DS TO-263(S)r

 7.1. Size:198K  ape
ap6679gs.pdfpdf_icon

AP6679GP

AP6679GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DS TO-263(S)ruggedized device desi

Другие MOSFET... AP6679BGH-HF , AP6679BGI-HF , AP6679BGM-HF , AP6679BGP-HF , AP6679GH-HF , AP6679GI-HF , AP6679GJ-HF , AP6679GM-HF , IRLB4132 , AP6679GP-A-HF , AP6679GR , AP6679GS-A-HF , 2SK662 , 2SK663 , 2SK664 , 2SK665 , 2SK669 .

History: NCE60N1K0R | AOI600A60 | AOW125A60 | FQP5P20 | IPB60R160C6 | 5N65G-TN3-R

 

 
Back to Top

 


 
.