AP6679GR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP6679GR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для AP6679GR
AP6679GR Datasheet (PDF)
ap6679gr.pdf

AP6679GRRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance
ap6679gp-a ap6679gs-a.pdf

AP6679GS/P-APb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 13.5m Fast Switching Characteristic ID -65AG RoHS CompliantSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DS TO-
ap6679gs.pdf

AP6679GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DS TO-263(S)ruggedized device desi
ap6679gi-hf.pdf

AP6679GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low Gate Charge BVDSS -30V Single Drive Requirement RDS(ON) 9m Lower On-resistance ID -48AG RoHS CompliantSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DS TO-220CFM(I)ruggedized dev
Другие MOSFET... AP6679BGM-HF , AP6679BGP-HF , AP6679GH-HF , AP6679GI-HF , AP6679GJ-HF , AP6679GM-HF , AP6679GP , AP6679GP-A-HF , IRFP250 , AP6679GS-A-HF , 2SK662 , 2SK663 , 2SK664 , 2SK665 , 2SK669 , 2SK704 , 2SK709 .
History: 12N10G-S08-R | LNH06R140 | MC10N020 | IRF520NL | HM50N03I | LSB60R030HT
History: 12N10G-S08-R | LNH06R140 | MC10N020 | IRF520NL | HM50N03I | LSB60R030HT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet