AP6679GR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP6679GR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для AP6679GR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6679GR даташит

 ..1. Size:149K  ape
ap6679gr.pdfpdf_icon

AP6679GR

AP6679GR RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -75A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

 7.1. Size:60K  ape
ap6679gp-a ap6679gs-a.pdfpdf_icon

AP6679GR

AP6679GS/P-A Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 13.5m Fast Switching Characteristic ID -65A G RoHS Compliant S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, D S TO-

 7.2. Size:198K  ape
ap6679gs.pdfpdf_icon

AP6679GR

AP6679GS/P RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -75A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, D S TO-263(S) ruggedized device desi

 7.3. Size:153K  ape
ap6679gi-hf.pdfpdf_icon

AP6679GR

AP6679GI-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low Gate Charge BVDSS -30V Single Drive Requirement RDS(ON) 9m Lower On-resistance ID -48A G RoHS Compliant S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, D S TO-220CFM(I) ruggedized dev

Другие IGBT... AP6679BGM-HF, AP6679BGP-HF, AP6679GH-HF, AP6679GI-HF, AP6679GJ-HF, AP6679GM-HF, AP6679GP, AP6679GP-A-HF, AON7506, AP6679GS-A-HF, 2SK662, 2SK663, 2SK664, 2SK665, 2SK669, 2SK704, 2SK709