AP6680AGM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP6680AGM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP6680AGM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6680AGM даташит

 ..1. Size:196K  ape
 ap6680agm.pdf pdf_icon

AP6680AGM

AP6680AGM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 12A G S D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, ultra

 0.1. Size:94K  ape
 ap6680agm-hf.pdf pdf_icon

AP6680AGM

AP6680AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 12A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D designer with the best combination of fast switching,

 8.1. Size:93K  ape
 ap6680bgm-hf.pdf pdf_icon

AP6680AGM

AP6680BGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m D Fast Switching Characteristic ID 13.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of f

 8.2. Size:59K  ape
 ap6680cgyt-hf.pdf pdf_icon

AP6680AGM

AP6680CGYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 15A G S D D Description D AP6680C series are from Advanced Power innovated design and silicon D process technology to achieve the lowest possible on-re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK664, 2SK665, 2SK669, 2SK704, 2SK709, 2SK720A, 2SK727-01, 2SK787, RFP50N06, AP6680BGM-HF, AP6680BGYT-HF, AP6680CGYT-HF, AP6680SGYT-HF, AP6683GYT-HF, AP6800GEO, AP6900GSM, AP6901AGSM-HF