AP6683GYT-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP6683GYT-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.13 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: PMPAK3X3
Аналог (замена) для AP6683GYT-HF
AP6683GYT-HF Datasheet (PDF)
ap6683gyt-hf.pdf

AP6683GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -30V Small Size & Lower Profile RDS(ON) 10m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -14.5AGSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the Dbest combination of fast switching, ruggedized device desi
ap6680bgm-hf.pdf

AP6680BGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 9mD Fast Switching Characteristic ID 13.3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of f
ap6680agm.pdf

AP6680AGMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 12AGSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the Ddesigner with the best combination of fast switching,Gruggedized device design, ultra
ap6680cgyt-hf.pdf

AP6680CGYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 15AGSDDDescriptionDAP6680C series are from Advanced Power innovated design and siliconDprocess technology to achieve the lowest possible on-re
Другие MOSFET... 2SK720A , 2SK727-01 , 2SK787 , AP6680AGM , AP6680BGM-HF , AP6680BGYT-HF , AP6680CGYT-HF , AP6680SGYT-HF , CS150N03A8 , AP6800GEO , AP6900GSM , AP6901AGSM-HF , AP6901GSM-HF , 2SK800 , 2SK805 , 2SK806 , 2SK808 .
History: APT18M80S | HTM200P03 | BUK7Y25-80E | SI2341 | AOT14N50FD | SI4401BDY | CJP05N60
History: APT18M80S | HTM200P03 | BUK7Y25-80E | SI2341 | AOT14N50FD | SI4401BDY | CJP05N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet