AP6924GEY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP6924GEY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: SOT-26

Аналог (замена) для AP6924GEY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6924GEY даташит

 ..1. Size:60K  ape
 ap6924gey.pdf pdf_icon

AP6924GEY

AP6924GEY RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY Electronics Corp. DIODE K Low On-Resistance BVDSS 20V S D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 600m Included Schottky Diode ID 1A A A SOT-26 G Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D K designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desi

 9.1. Size:207K  ape
 ap6926gmt.pdf pdf_icon

AP6924GEY

AP6926GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 40V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 40m G1 Converter Application ID 15A D2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 40V RDS(ON) 20m G2 Description ID 24A S2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide G2 G2 S2 S

 9.2. Size:160K  ape
 ap6925gy.pdf pdf_icon

AP6924GEY

AP6925GY RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY Electronics Corp. DIODE D Low Gate Charge BVDSS -16V NC K Surface Mount Package RDS(ON) 150m G RoHS Compliant ID - 1.6A S SOT-26 A A D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra lower

 9.3. Size:130K  ape
 ap6922gmt-hf.pdf pdf_icon

AP6924GEY

AP6922GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITH Electronics Corp. SCHOTTKY DIODE D1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 8.5m G1 Converter Application ID 48A D2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30V RDS(ON) 3.8m G2 Description ID 87A S2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide G2 G2 S2 S2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP6903GH-HF, AP6904GH-HF, AP6906GH-HF, AP6910GSM-HF, AP6920GMT-HF, AP6921GMT-HF, AP6922GMT-HF, AP6923GMT-HF, IRF840, AP6925GY, AP6928GMT-HF, AP6930GMT-HF, AP6941GMT-HF, AP6942GMT-HF, AP6950GYT-HF, AP6970GN2-HF, AP6980GN2-HF