AP70L02GS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP70L02GS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для AP70L02GS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP70L02GS даташит

 ..1. Size:107K  ape
 ap70l02gp ap70l02gs.pdf pdf_icon

AP70L02GS

AP70L02GS/P RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 25V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching ID 66A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D designer with the best combination of fast switching, S TO-263(S) ruggedized device design, low on-resista

 6.1. Size:81K  ape
 ap70l02gh ap70l02gj.pdf pdf_icon

AP70L02GS

AP70L02GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 25V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching ID 66A G S Description G D The TO-252 package is universally preferred for all commercial- S TO-252(H) industrial surface mount app

Другие IGBT... AP6970GN2-HF, AP6980GN2-HF, AP6982GM, AP6982GN2-HF, AP6983GN2-HF, AP70L02GH, AP70L02GJ, AP70L02GP, IRF3710, AP70T03GH, AP70T03GI, AP70T03GJ-HF, AP70T03GP, AP70T03GS, AP72T02GJ-HF, AP72T03GH, AP72T03GI-HF