Справочник MOSFET. AP75T10GI-HF

 

AP75T10GI-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP75T10GI-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-220CFM
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP75T10GI-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  ape
 ap75t10gi-hf.pdf pdf_icon

AP75T10GI-HF

AP75T10GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower On-resistance RDS(ON) 12m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 42AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDruggedized device design, low on-res

 5.1. Size:162K  ape
 ap75t10gi.pdf pdf_icon

AP75T10GI-HF

AP75T10GI-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower On-resistance RDS(ON) 12m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 42AGSDescriptionAP75T10 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achie

 6.1. Size:225K  ape
 ap75t10gs.pdf pdf_icon

AP75T10GI-HF

AP75T10GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 100V Lower On-resistance RDS(ON) 15m Fast Switching Characteristic ID 65AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withGthe best combination of fast switching, ruggedized device design, lowDSo

 6.2. Size:200K  ape
 ap75t10gp.pdf pdf_icon

AP75T10GI-HF

AP75T10GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 100V Lower On-resistance RDS(ON) 15m Fast Switching Characteristic ID 65AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerwith the best combination of fast switching, rugge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.