FRK160H - аналоги и даташиты транзистора

 

FRK160H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FRK160H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 900 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO204AE
 

 Аналог (замена) для FRK160H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRK160H Datasheet (PDF)

 8.1. Size:48K  intersil
 frk160.pdf pdf_icon

FRK160H

FRK160D, FRK160R,FRK160H50A, 100V, 0.040 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 50A, 100V, RDS(on) = 0.040TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие MOSFET... FRF9150R , FRF9250D , FRF9250H , FRF9250R , FRK150D , FRK150H , FRK150R , FRK160D , IRFP450 , FRK160R , FRK250D , FRK250H , FRK250R , FRK254D , FRK254H , FRK254R , FRK260D .

History: NCE65N290F | TJ150F04M3L | FRK254R | QM12N70F | AP1R803GMT-HF | JCS7HN60B | QM12N65F

 

 
Back to Top

 


 
.