AP78T10GP-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP78T10GP-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AP78T10GP-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP78T10GP-HF даташит

 ..1. Size:93K  ape
 ap78t10gp-hf.pdf pdf_icon

AP78T10GP-HF

AP78T10GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Low On-resistance RDS(ON) 14m Fast Switching Characteristic ID 68A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G rugge

 5.1. Size:158K  ape
 ap78t10gp.pdf pdf_icon

AP78T10GP-HF

AP78T10GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Low On-resistance RDS(ON) 14m Fast Switching Characteristic ID 68A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP78T10 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest

Другие IGBT... AP72T02GH-HF, AP75T10AGP, AP75T10BGP-HF, AP75T10GI-HF, AP75T10GP-HF, AP75T10GS, AP75T12GI-HF, AP75T12GP-HF, STP80NF70, AP80N30W, AP80T10GP-HF, AP80T10GR-HF, AP83T02GH-HF, AP83T02GJ-HF, AP83T03AGH-HF, AP83T03AGMT-HF, AP83T03GH-HF