AP80T10GR-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP80T10GR-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для AP80T10GR-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP80T10GR-HF даташит

 ..1. Size:92K  ape
 ap80t10gr-hf.pdf pdf_icon

AP80T10GR-HF

AP80T10GR-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Low On-resistance RDS(ON) 9.5m Fast Switching Characteristic ID 85A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggediz

 5.1. Size:193K  ape
 ap80t10gr.pdf pdf_icon

AP80T10GR-HF

AP80T10GR-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Low On-resistance RDS(ON) 9.5m Fast Switching Characteristic ID 85A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggediz

 6.1. Size:150K  ape
 ap80t10gp.pdf pdf_icon

AP80T10GR-HF

AP80T10GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Low On-resistance RDS(ON) 9.5m Fast Switching Characteristic ID 85A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP80T10 series are from Advanced Power innovate

 6.2. Size:92K  ape
 ap80t10gp-hf.pdf pdf_icon

AP80T10GR-HF

AP80T10GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Low On-resistance RDS(ON) 9.5m Fast Switching Characteristic ID 85A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G rugg

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP75T10GI-HF, AP75T10GP-HF, AP75T10GS, AP75T12GI-HF, AP75T12GP-HF, AP78T10GP-HF, AP80N30W, AP80T10GP-HF, AO4407, AP83T02GH-HF, AP83T02GJ-HF, AP83T03AGH-HF, AP83T03AGMT-HF, AP83T03GH-HF, AP83T03GJ-HF, AP83T03GM-HF, AP83T03GMT-HF