Справочник MOSFET. AP80T10GR-HF

 

AP80T10GR-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP80T10GR-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для AP80T10GR-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP80T10GR-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  ape
ap80t10gr-hf.pdfpdf_icon

AP80T10GR-HF

AP80T10GR-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Low On-resistance RDS(ON) 9.5m Fast Switching Characteristic ID 85AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggediz

 5.1. Size:193K  ape
ap80t10gr.pdfpdf_icon

AP80T10GR-HF

AP80T10GR-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Low On-resistance RDS(ON) 9.5m Fast Switching Characteristic ID 85AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggediz

 6.1. Size:150K  ape
ap80t10gp.pdfpdf_icon

AP80T10GR-HF

AP80T10GP-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Low On-resistance RDS(ON) 9.5m Fast Switching Characteristic ID 85AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP80T10 series are from Advanced Power innovate

 6.2. Size:92K  ape
ap80t10gp-hf.pdfpdf_icon

AP80T10GR-HF

AP80T10GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Low On-resistance RDS(ON) 9.5m Fast Switching Characteristic ID 85AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Grugg

Другие MOSFET... AP75T10GI-HF , AP75T10GP-HF , AP75T10GS , AP75T12GI-HF , AP75T12GP-HF , AP78T10GP-HF , AP80N30W , AP80T10GP-HF , P60NF06 , AP83T02GH-HF , AP83T02GJ-HF , AP83T03AGH-HF , AP83T03AGMT-HF , AP83T03GH-HF , AP83T03GJ-HF , AP83T03GM-HF , AP83T03GMT-HF .

History: ME2306A | ES6U3 | APT9F100S | FDD390N15AL | FQB27P06TM | PJA3402 | CEP04N7G

 

 
Back to Top

 


 
.