Справочник MOSFET. AP85U03GP-HF

 

AP85U03GP-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP85U03GP-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP85U03GP-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  ape
ap85u03gp-hf.pdfpdf_icon

AP85U03GP-HF

AP85U03GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID 80AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized d

 6.1. Size:94K  ape
ap85u03gmt-hf.pdfpdf_icon

AP85U03GP-HF

AP85U03GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible RDS(ON) 5m Low On-resistance ID 82AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedi

 6.2. Size:96K  ape
ap85u03gh-hf.pdfpdf_icon

AP85U03GP-HF

AP85U03GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 5.5m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the GDSdesigner with the best combination of fast switching,

 6.3. Size:93K  ape
ap85u03gm-hf.pdfpdf_icon

AP85U03GP-HF

AP85U03GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Ultra_Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 5mD Fast Switching Characteristic ID 18.6AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combinatio

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IPN95R3K7P7 | STB10NK60ZT4 | NCEAP016N10LL | BUK455-100B | SI7413DN | FDG6320C | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.