FRK254H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FRK254H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 450 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.17 Ohm
Тип корпуса: TO204AE
FRK254H Datasheet (PDF)
frk254.pdf
FRK254D, FRK254R,FRK254H20A, 250V, 0.170 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 20A, 250V, RDS(on) = 0.170TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)
frk250.pdf
FRK250D, FRK250R,FRK250H27A, 200V, 0.100 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 27A, 200V, RDS(on) = 0.100TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)
frk250.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FRK250DESCRIPTION27A, 200V, RDS(on) = 0.1Second Generation Rad Hard MOSFET ResultsFrom New Design ConceptsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSIt is specially designed and processed toexhibit minimal characteristic changes to total dose and neutronexposures
Другие MOSFET... FRK150R , FRK160D , FRK160H , FRK160R , FRK250D , FRK250H , FRK250R , FRK254D , AON7506 , FRK254R , FRK260D , FRK260H , FRK260R , FRK264D , FRK264H , FRK264R , FRK460D .
