AP9408CGM-HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP9408CGM-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для AP9408CGM-HF
AP9408CGM-HF Datasheet (PDF)
ap9408cgm-hf.pdf

AP9408CGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 8mD Fast Switching Characteristic ID 14AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fas
ap9408agm-hf.pdf

AP9408AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 10mDD Fast Switching Characteristic ID 12.5AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of
ap9408agh.pdf

AP9408AGHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Fast Switching Characteristic ID 53AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the GDSdesigner with the best combination of fast switching,TO-252(H)ruggedized device desi
ap9408gh ap9408gj.pdf

AP9408GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Fast Switching Characteristic G ID 57ASDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the GDSdesigner with the best combination of fast switching,TO-252(H)ruggedized device desi
Другие MOSFET... AP9402GMT-HF , AP9402GYT-HF , AP9404GH-HF , AP9404GM-HF , AP9408AGH , AP9408AGI , AP9408AGM-HF , AP9408AGP , IRFB4227 , AP9408GH , AP9408GJ , AP9408GM-HF , AP9410AGH-HF , AP9410AGM-HF , AP9410GH-HF , AP9410GM , AP9410GMT-HF .
History: IXFT68N20 | IRFR4104TRPBF | VBMB16R04 | TSM1N60SCT | RUU002N05 | IPB100N06S2L-05 | DMP2160UFDBQ
History: IXFT68N20 | IRFR4104TRPBF | VBMB16R04 | TSM1N60SCT | RUU002N05 | IPB100N06S2L-05 | DMP2160UFDBQ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a