Справочник MOSFET. AP9408CGM-HF

 

AP9408CGM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9408CGM-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9408CGM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  ape
 ap9408cgm-hf.pdf pdf_icon

AP9408CGM-HF

AP9408CGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 8mD Fast Switching Characteristic ID 14AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fas

 8.1. Size:94K  ape
 ap9408agm-hf.pdf pdf_icon

AP9408CGM-HF

AP9408AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 10mDD Fast Switching Characteristic ID 12.5AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of

 8.2. Size:143K  ape
 ap9408agh.pdf pdf_icon

AP9408CGM-HF

AP9408AGHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Fast Switching Characteristic ID 53AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the GDSdesigner with the best combination of fast switching,TO-252(H)ruggedized device desi

 8.3. Size:99K  ape
 ap9408gh ap9408gj.pdf pdf_icon

AP9408CGM-HF

AP9408GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Fast Switching Characteristic G ID 57ASDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the GDSdesigner with the best combination of fast switching,TO-252(H)ruggedized device desi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9402GMT-HF , AP9402GYT-HF , AP9404GH-HF , AP9404GM-HF , AP9408AGH , AP9408AGI , AP9408AGM-HF , AP9408AGP , IRFB4227 , AP9408GH , AP9408GJ , AP9408GM-HF , AP9410AGH-HF , AP9410AGM-HF , AP9410GH-HF , AP9410GM , AP9410GMT-HF .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.