AP9408CGM-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9408CGM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP9408CGM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9408CGM-HF даташит

 ..1. Size:93K  ape
ap9408cgm-hf.pdfpdf_icon

AP9408CGM-HF

AP9408CGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 8m D Fast Switching Characteristic ID 14A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fas

 8.1. Size:94K  ape
ap9408agm-hf.pdfpdf_icon

AP9408CGM-HF

AP9408AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m D D Fast Switching Characteristic ID 12.5A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

 8.2. Size:143K  ape
ap9408agh.pdfpdf_icon

AP9408CGM-HF

AP9408AGH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Fast Switching Characteristic ID 53A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S designer with the best combination of fast switching, TO-252(H) ruggedized device desi

 8.3. Size:99K  ape
ap9408gh ap9408gj.pdfpdf_icon

AP9408CGM-HF

AP9408GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Fast Switching Characteristic G ID 57A S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S designer with the best combination of fast switching, TO-252(H) ruggedized device desi

Другие IGBT... AP9402GMT-HF, AP9402GYT-HF, AP9404GH-HF, AP9404GM-HF, AP9408AGH, AP9408AGI, AP9408AGM-HF, AP9408AGP, 10N60, AP9408GH, AP9408GJ, AP9408GM-HF, AP9410AGH-HF, AP9410AGM-HF, AP9410GH-HF, AP9410GM, AP9410GMT-HF