Справочник MOSFET. AP9412CGM-HF

 

AP9412CGM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9412CGM-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9412CGM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  ape
ap9412cgm-hf.pdfpdf_icon

AP9412CGM-HF

AP9412CGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Ultra_Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.8mD Fast Switching Characteristic ID 18.2AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combinat

 8.1. Size:94K  ape
ap9412agm-hf.pdfpdf_icon

AP9412CGM-HF

AP9412AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VDD Ultra_Low On-resistance RDS(ON) 6mDD Fast Switching Characteristic ID 16AG RoHS Compliant & Halogen-Free SSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination o

 8.2. Size:64K  ape
ap9412gh ap9412gj.pdfpdf_icon

AP9412CGM-HF

AP9412GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 73AGSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with GDSthe best combination of fast switching, ruggedized device design, low

 8.3. Size:94K  ape
ap9412gp.pdfpdf_icon

AP9412CGM-HF

AP9412GPRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 73AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance and

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SSM3K303T | IRF1310NPBF | SMIRF7N65T9RL | OSS60R190JF | IRFU210PBF | RSD100N10FRA | 2SJ222

 

 
Back to Top

 


 
.