Справочник MOSFET. AP9414GM

 

AP9414GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9414GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9414GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  ape
ap9414gm.pdfpdf_icon

AP9414GM

AP9414GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 6.5mD Fast Switching Characteristic ID 16AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device des

 9.1. Size:229K  ape
ap9410gh.pdfpdf_icon

AP9414GM

AP9410GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9410 series are from Advanced Power innovated design andGDsilicon process technology to achieve the lowes

 9.2. Size:94K  ape
ap9412agm-hf.pdfpdf_icon

AP9414GM

AP9412AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VDD Ultra_Low On-resistance RDS(ON) 6mDD Fast Switching Characteristic ID 16AG RoHS Compliant & Halogen-Free SSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination o

 9.3. Size:200K  ape
ap9418gm.pdfpdf_icon

AP9414GM

AP9418GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 35VDD Ultra_Low On-resistance RDS(ON) 4mDD Fast Switching Characteristic ID 24AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CJP04N60 | TK10A80E | H5N60P | MEE7816S | 7N60L-A-TF3 | BRCS020N03ZC | MS65R120C

 

 
Back to Top

 


 
.