AP9416GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9416GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP9416GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9416GM даташит

 ..1. Size:224K  ape
ap9416gm.pdfpdf_icon

AP9416GM

AP9416GM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Ultra_Low On-resistance RDS(ON) 3.2m D D Fast Switching Characteristic ID 25A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devi

 9.1. Size:229K  ape
ap9410gh.pdfpdf_icon

AP9416GM

AP9410GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9410 series are from Advanced Power innovated design and G D silicon process technology to achieve the lowes

 9.2. Size:94K  ape
ap9412agm-hf.pdfpdf_icon

AP9416GM

AP9412AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Ultra_Low On-resistance RDS(ON) 6m D D Fast Switching Characteristic ID 16A G RoHS Compliant & Halogen-Free S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination o

 9.3. Size:200K  ape
ap9418gm.pdfpdf_icon

AP9416GM

AP9418GM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 35V D D Ultra_Low On-resistance RDS(ON) 4m D D Fast Switching Characteristic ID 24A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device

Другие IGBT... AP9412AGP, AP9412BGM-HF, AP9412CGM-HF, AP9412GH, AP9412GI, AP9412GJ, AP9412GP, AP9414GM, 4435, AP9418GM, AP9420GM-HF, AP9424GYT-HF, AP9430AGYT-HF, AP9430GH-HF, AP9430GYT-HF, AP9431GH-HF, AP9432GYT-HF