Справочник MOSFET. AP9416GM

 

AP9416GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9416GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AP9416GM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9416GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  ape
ap9416gm.pdfpdf_icon

AP9416GM

AP9416GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VDD Ultra_Low On-resistance RDS(ON) 3.2mDD Fast Switching Characteristic ID 25AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized devi

 9.1. Size:229K  ape
ap9410gh.pdfpdf_icon

AP9416GM

AP9410GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9410 series are from Advanced Power innovated design andGDsilicon process technology to achieve the lowes

 9.2. Size:94K  ape
ap9412agm-hf.pdfpdf_icon

AP9416GM

AP9412AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VDD Ultra_Low On-resistance RDS(ON) 6mDD Fast Switching Characteristic ID 16AG RoHS Compliant & Halogen-Free SSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination o

 9.3. Size:200K  ape
ap9418gm.pdfpdf_icon

AP9416GM

AP9418GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 35VDD Ultra_Low On-resistance RDS(ON) 4mDD Fast Switching Characteristic ID 24AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device

Другие MOSFET... AP9412AGP , AP9412BGM-HF , AP9412CGM-HF , AP9412GH , AP9412GI , AP9412GJ , AP9412GP , AP9414GM , 2SK3568 , AP9418GM , AP9420GM-HF , AP9424GYT-HF , AP9430AGYT-HF , AP9430GH-HF , AP9430GYT-HF , AP9431GH-HF , AP9432GYT-HF .

History: IRFP22N60KPBF | TTD30P03AT | STR2P3LLH6 | SDF130JDA-U | 4N60KL-TF1-T | NCEP016N60VD | IAUS180N04S4N015

 

 
Back to Top

 


 
.