Справочник MOSFET. AP9430GYT-HF

 

AP9430GYT-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9430GYT-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9430GYT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  ape
ap9430gyt-hf.pdfpdf_icon

AP9430GYT-HF

AP9430GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 4.5m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 23AGSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized device desig

 7.1. Size:94K  ape
ap9430gh-hf.pdfpdf_icon

AP9430GYT-HF

AP9430GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching, DS

 8.1. Size:97K  ape
ap9430agyt-hf.pdfpdf_icon

AP9430GYT-HF

AP9430AGYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Small Size & Lower Profile RDS(ON) 4.5m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 21AGSDDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device desig

 9.1. Size:96K  ape
ap9434gm-hf.pdfpdf_icon

AP9430GYT-HF

AP9434GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 30VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 22.5mD Fast Switching Characteristic ID 8AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAP9434 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technol

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.