AP9434GM-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9434GM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP9434GM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9434GM-HF даташит

 ..1. Size:96K  ape
 ap9434gm-hf.pdf pdf_icon

AP9434GM-HF

AP9434GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 30V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 22.5m D Fast Switching Characteristic ID 8A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP9434 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technol

 6.1. Size:167K  ape
 ap9434gm.pdf pdf_icon

AP9434GM-HF

AP9434GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 30V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 22.5m D Fast Switching Characteristic ID 8A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 D Description AP9434 series are from

 9.1. Size:94K  ape
 ap9430gh-hf.pdf pdf_icon

AP9434GM-HF

AP9430GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4m Fast Switching Characteristic ID 75A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, D S

 9.2. Size:169K  ape
 ap9435gm-hf.pdf pdf_icon

AP9434GM-HF

AP9435GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D D Low Gate Charge RDS(ON) 50m D Fast Switching ID -5.3A G S RoHS Compliant S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9418GM, AP9420GM-HF, AP9424GYT-HF, AP9430AGYT-HF, AP9430GH-HF, AP9430GYT-HF, AP9431GH-HF, AP9432GYT-HF, IRFB3607, AP9435GG-HF, AP9435GH, AP9435GJ, AP9435GK-HF, AP9435GM-HF, AP9435GP, AP9440GYT-HF, AP9450GYT-HF