AP9435GM-HF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP9435GM-HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP9435GM-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AP9435GM-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9435GM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  ape
 ap9435gm-hf.pdf pdf_icon

AP9435GM-HF

AP9435GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDDD Low Gate Charge RDS(ON) 50mD Fast Switching ID -5.3AGS RoHS CompliantSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized devic

 6.1. Size:177K  ape
 ap9435gm.pdf pdf_icon

AP9435GM-HF

AP9435GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDDD Low Gate Charge RDS(ON) 50mD Fast Switching ID -5.3AGSSSSO-8DescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design, lowon

 6.2. Size:805K  cn vbsemi
 ap9435gm.pdf pdf_icon

AP9435GM-HF

AP9435GMwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5DTop

 7.1. Size:98K  ape
 ap9435gh ap9435gj.pdf pdf_icon

AP9435GM-HF

AP9435GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching ID - 20AGSDescriptionGDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to S TO-252(H)achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9430GYT-HF , AP9431GH-HF , AP9432GYT-HF , AP9434GM-HF , AP9435GG-HF , AP9435GH , AP9435GJ , AP9435GK-HF , 2N7002 , AP9435GP , AP9440GYT-HF , AP9450GYT-HF , AP9451GG-HF , AP9452AGG-HF , AP9452GG-HF , AP9465AGH , AP9465AGJ .

History: UTT150N03 | OSG60R074HSZF | AP9435GK-HF | 2SK2898-01 | HY0C20C | PNMTO600V4 | U105D

 

 
Back to Top

 


 
.