AP9435GP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9435GP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AP9435GP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9435GP даташит

 ..1. Size:94K  ape
ap9435gp.pdfpdf_icon

AP9435GP

AP9435GP RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching ID - 15A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effecti

 0.1. Size:95K  ape
ap9435gp-hf.pdfpdf_icon

AP9435GP

AP9435GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID - 15A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized

 7.1. Size:169K  ape
ap9435gm-hf.pdfpdf_icon

AP9435GP

AP9435GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D D Low Gate Charge RDS(ON) 50m D Fast Switching ID -5.3A G S RoHS Compliant S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devic

 7.2. Size:98K  ape
ap9435gh ap9435gj.pdfpdf_icon

AP9435GP

AP9435GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching ID - 20A G S Description G D Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to S TO-252(H) achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-

Другие IGBT... AP9431GH-HF, AP9432GYT-HF, AP9434GM-HF, AP9435GG-HF, AP9435GH, AP9435GJ, AP9435GK-HF, AP9435GM-HF, STP80NF70, AP9440GYT-HF, AP9450GYT-HF, AP9451GG-HF, AP9452AGG-HF, AP9452GG-HF, AP9465AGH, AP9465AGJ, AP9465BGH