Справочник MOSFET. AP9469GH

 

AP9469GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9469GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AP9469GH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9469GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  ape
ap9469gh ap9469gj.pdfpdf_icon

AP9469GH

AP9469GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 40VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID 18AG RoHS CompliantSDescriptionGThe TO-252 package is universally preferred for all commercial- DSTO-252(H)industrial surface mount applications an

 7.1. Size:94K  ape
ap9469gm.pdfpdf_icon

AP9469GH

AP9469GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 40VDDD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 50mD RoHS Compliant ID 5.5AGSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device d

 9.1. Size:234K  ape
ap9467agh.pdfpdf_icon

AP9469GH

AP9467AGH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11.5m Fast Switching Characteristic ID 43AG Halogen Free & RoHS CompliantSDescriptionAP9467A series are from Advanced Power innovated design andGDsilicon process technology to achieve the

 9.2. Size:142K  ape
ap9467gs.pdfpdf_icon

AP9469GH

AP9467GSRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Single Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristics ID 52AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDruggedized device design, low on-resista

Другие MOSFET... AP9466GM , AP9466GS , AP9468GH-HF , AP9468GJ-HF , AP9468GJ , AP9468GM , AP9468GP-HF , AP9468GS-HF , K2611 , AP9469GJ , AP9469GM , AP9470GM-HF , AP9474GM , AP9475GM-HF , AP9476GM-HF , AP9477GK-HF , AP9477GM-HF .

History: BUK6507-75C | IRFP244PBF

 

 
Back to Top

 


 
.