AP9474GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9474GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP9474GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9474GM даташит

 ..1. Size:92K  ape
ap9474gm.pdfpdf_icon

AP9474GM

AP9474GM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 60V D D Single Drive Requirement D RDS(ON) 10.5m D Surface Mount Package ID 12.8A G S S S SO-8 D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design

 ..2. Size:812K  cn vbsemi
ap9474gm.pdfpdf_icon

AP9474GM

AP9474GM www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 12.6 60 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 11.6 Rectifier Operation 100 % Rg and UIS Tested APPLICATIONS D CC

 0.1. Size:93K  ape
ap9474gm-hf.pdfpdf_icon

AP9474GM

AP9474GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 60V D D D Single Drive Requirement RDS(ON) 10.5m D Surface Mount Package ID 12.8A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast sw

 9.1. Size:94K  ape
ap9475gm-hf.pdfpdf_icon

AP9474GM

AP9475GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 40m D Fast Switching Characteristic ID 6.9A G S S RoHS Compliant & Halogen-Free S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

Другие IGBT... AP9468GJ, AP9468GM, AP9468GP-HF, AP9468GS-HF, AP9469GH, AP9469GJ, AP9469GM, AP9470GM-HF, IRFB31N20D, AP9475GM-HF, AP9476GM-HF, AP9477GK-HF, AP9477GM-HF, AP9478GM, AP9479GM-HF, AP9487GM-HF, AP94T07GH-HF