AP9477GK-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9477GK-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для AP9477GK-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9477GK-HF даташит

 ..1. Size:126K  ape
 ap9477gk-hf.pdf pdf_icon

AP9477GK-HF

AP9477GK-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D Lower Gate Charge RDS(ON) 90m S Fast Switching Characteristic ID 4.1A D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-223 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switch

 7.1. Size:69K  ape
 ap9477gm.pdf pdf_icon

AP9477GK-HF

AP9477GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D D Lower Gate Charge RDS(ON) 90m D D Fast Switching Characteristic ID 4A G S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best co

 7.2. Size:97K  ape
 ap9477gm-hf.pdf pdf_icon

AP9477GK-HF

AP9477GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D D Lower Gate Charge RDS(ON) 90m D D Fast Switching Characteristic ID 4A G RoHS Compliant S S SO-8 S Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugg

 9.1. Size:94K  ape
 ap9475gm-hf.pdf pdf_icon

AP9477GK-HF

AP9475GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 40m D Fast Switching Characteristic ID 6.9A G S S RoHS Compliant & Halogen-Free S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9468GS-HF, AP9469GH, AP9469GJ, AP9469GM, AP9470GM-HF, AP9474GM, AP9475GM-HF, AP9476GM-HF, 7N60, AP9477GM-HF, AP9478GM, AP9479GM-HF, AP9487GM-HF, AP94T07GH-HF, AP94T07GJ-HF, AP94T07GMT-HF, AP94T07GP1-HF