Справочник MOSFET. AP9478GM

 

AP9478GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9478GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9478GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  ape
ap9478gm.pdfpdf_icon

AP9478GM

AP9478GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VDD Lower Gate Charge RDS(ON) 64mDD Fast Switching Characteristic ID 4.8AG RoHS CompliantSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switchin

 9.1. Size:94K  ape
ap9475gm-hf.pdfpdf_icon

AP9478GM

AP9475GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 40mD Fast Switching Characteristic ID 6.9AGSS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fa

 9.2. Size:217K  ape
ap9476gm.pdfpdf_icon

AP9478GM

AP9476GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 60VDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 21mDD Fast Switching Characteristic ID 7.8AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device desi

 9.3. Size:69K  ape
ap9477gm.pdfpdf_icon

AP9478GM

AP9477GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement BVDSS 60V DDLower Gate Charge RDS(ON) 90m DDFast Switching Characteristic ID 4A GSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best co

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFP3206PBF | IXFK210N17T | SLF10N65S | UF1010A | ISCNH340B | BUZ901D | IPB120N04S4-02

 

 
Back to Top

 


 
.