FRK460H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRK460H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 800 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO204AE

Аналог (замена) для FRK460H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRK460H даташит

 8.1. Size:53K  intersil
 frk460.pdf pdf_icon

FRK460H

FRK460D, FRK460R, FRK460H 17A, 500V, 0.400 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 17A, 500V, RDS(on) = 0.400 TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие IGBT... FRK254R, FRK260D, FRK260H, FRK260R, FRK264D, FRK264H, FRK264R, FRK460D, IRF520, FRK460R, FRK9150D, FRK9150H, FRK9150R, FRK9160D, FRK9160H, FRK9160R, FRK9260D