AP9561AGM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP9561AGM-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: SO-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP9561AGM-HF Datasheet (PDF)
ap9561agm-hf.pdf

AP9561AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDDD Low On-resistance RDS(ON) 18m Fast Switching Characteristic ID -9.2AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSO-8 SDDescriptionAP9561A series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technol
ap9561agi-hf.pdf

AP9561AGI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 18m Fast Switching Characteristic ID -30AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9561A series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest
ap9561agh-hf.pdf

AP9561AGH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 18m Fast Switching Characteristic ID -39AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theGbest combination of fast switching, rugge
ap9561agj-hf.pdf

AP9561AGJ-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 18m Fast Switching Characteristic ID -39AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9561A series are from Advanced Power innovated design and silicon GDTO-251(J)Sprocess technology t
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IRF241 | NCE70T180D
History: IRF241 | NCE70T180D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor