Справочник MOSFET. AP9561GP-HF

 

AP9561GP-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9561GP-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9561GP-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  ape
 ap9561gp-hf.pdf pdf_icon

AP9561GP-HF

AP9561GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Characteristic ID -45AG RoHS CompliantSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device des

 7.1. Size:201K  ape
 ap9561gj.pdf pdf_icon

AP9561GP-HF

AP9561GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance D BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Characteristic ID -45AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9561 series are from Advanced Power innovated design and siliconGDprocess technology to achieve th

 7.2. Size:93K  ape
 ap9561gm-hf.pdf pdf_icon

AP9561GP-HF

AP9561GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 18mD Fast Switching Characteristic ID -9.4AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

 7.3. Size:216K  ape
 ap9561gm.pdf pdf_icon

AP9561GP-HF

AP9561GMRoHS-compliat ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 18mD Fast Switching Characteristic ID -9.4AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device des

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFP244PBF | JCS5N50CT | IXTT1N250HV | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005

 

 
Back to Top

 


 
.