Справочник MOSFET. AP9563GM-HF

 

AP9563GM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9563GM-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9563GM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  ape
 ap9563gm-hf.pdf pdf_icon

AP9563GM-HF

AP9563GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 40mD Fast Switching Characteristic ID -6AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fa

 6.1. Size:178K  ape
 ap9563gm.pdf pdf_icon

AP9563GM-HF

AP9563GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 40mD Fast Switching Characteristic ID -6AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAP9563 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology

 7.1. Size:99K  ape
 ap9563gh-hf ap9563gj-hf.pdf pdf_icon

AP9563GM-HF

AP9563GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26AG RoHS CompliantSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast switching,r

 7.2. Size:235K  ape
 ap9563gh.pdf pdf_icon

AP9563GM-HF

AP9563GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26AG RoHS CompliantSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast switching,r

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4

 

 
Back to Top

 


 
.