Справочник MOSFET. AP9566GM

 

AP9566GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9566GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9566GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  ape
 ap9566gm.pdf pdf_icon

AP9566GM

AP9566GMRoHS-compliat ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 72mD Fast Switching Characteristic ID -4.5AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device des

 0.1. Size:93K  ape
 ap9566gm-hf.pdf pdf_icon

AP9566GM

AP9566GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 72mD Fast Switching Characteristic ID -4.5AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

 7.1. Size:166K  ape
 ap9566gh.pdf pdf_icon

AP9566GM

AP9566GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 65m Fast Switching Characteristic ID -13.6AGSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with DSTO-252(H)the best combination of fast switching, ruggedized device design

 9.1. Size:99K  ape
 ap9563gh-hf ap9563gj-hf.pdf pdf_icon

AP9566GM

AP9563GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26AG RoHS CompliantSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast switching,r

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9565AGJ , AP9565BGH-HF , AP9565BGJ-HF , AP9565BGM-HF , AP9565GEH , AP9565GEJ , AP9565GEM , AP9566GH , 2SK3878 , AP9567GH-HF , AP9567GJ-HF , AP9567GM , AP9569GH-HF , AP9569GJ-HF , AP9569GM , AP9571GP-HF , AP9571GS-HF .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.