FRK9150H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FRK9150H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 672 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
Тип корпуса: TO204AE
Аналог (замена) для FRK9150H
FRK9150H Datasheet (PDF)
frk9150.pdf

FRK9150D, FRK9150R,FRK9150H26A, -100V, 0.125 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 26A, -100V, RDS(on) = 0.125TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD
frk9160.pdf

FRK9160D, FRK9160R,FRK9160H40A, -100V, 0.085 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 40A, -100V, RDS(on) = 0.085TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD
Другие MOSFET... FRK260R , FRK264D , FRK264H , FRK264R , FRK460D , FRK460H , FRK460R , FRK9150D , 8N60 , FRK9150R , FRK9160D , FRK9160H , FRK9160R , FRK9260D , FRK9260H , FRK9260R , FRL130D .
History: NCE50NF130K
History: NCE50NF130K



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP70P03DF | AP70P03D | AP70P02D | AP70N12NF | AP70N12D | AP70N06HD | AP70N04NF | AP70N03NF | AP70N02NF | AP70N02DF | AP6P06MI | AP6P03SI | AP6N40D | AP6N12MI | AP6N10MI | AP5N10SI
Popular searches
tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096