Справочник MOSFET. AP9569GJ-HF

 

AP9569GJ-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9569GJ-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9569GJ-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  ape
ap9569gh-hf ap9569gj-hf.pdfpdf_icon

AP9569GJ-HF

AP9569GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS -40V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 90m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -14AGSDescription GDSTO-252(H)The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialsurface mount applications and suited for

 7.1. Size:59K  ape
ap9569gm.pdfpdf_icon

AP9569GJ-HF

AP9569GMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDD Fast Switching Characteristic D RDS(ON) 90mD RoHS Compliant ID -4.2AGSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device

 9.1. Size:99K  ape
ap9563gh-hf ap9563gj-hf.pdfpdf_icon

AP9569GJ-HF

AP9563GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26AG RoHS CompliantSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast switching,r

 9.2. Size:93K  ape
ap9566gm-hf.pdfpdf_icon

AP9569GJ-HF

AP9566GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 72mD Fast Switching Characteristic ID -4.5AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AUIRFR2905ZTR | HM75N75K | IXFP3N120 | DMC3021LK4 | IRF3707SPBF | SSM6P16FE | AP9685GM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.