AP9575GI-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9575GI-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-220CFM

Аналог (замена) для AP9575GI-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9575GI-HF даташит

 ..1. Size:94K  ape
 ap9575gi-hf.pdf pdf_icon

AP9575GI-HF

AP9575GI-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 70m Fast Switching Characteristic ID -16A G RoHS Compliant & Halogen-Free D TO-220CFM(I) S Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast swit

 6.1. Size:93K  ape
 ap9575gi.pdf pdf_icon

AP9575GI-HF

AP9575GI RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 70m Fast Switching Characteristic ID -16A G D TO-220CFM(I) S Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, l

 7.1. Size:98K  ape
 ap9575gh ap9575gj.pdf pdf_icon

AP9575GI-HF

AP9575GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Characteristic ID -15A G S Description G D The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial S TO-252(H) surface mount applications and suited for low voltage appl

 7.2. Size:57K  ape
 ap9575gm-hf.pdf pdf_icon

AP9575GI-HF

AP9575GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS -60V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m D Fast Switching Characteristic ID -4A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK2640-01MR, 2SK2771-01R, AP9575AGH-HF, AP9575AGI-HF, AP9575AGJ-HF, AP9575AGM-HF, AP9575AGS-HF, AP9575GH-HF, IRFB3607, AP9575GJ-HF, AP9575GM, AP9575GP-HF, AP9575GS-HF, AP9576GH, AP9576GJ, AP9576GM, AP9577GI