AP9576GH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9576GH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AP9576GH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9576GH даташит

 ..1. Size:99K  ape
ap9576gh.pdfpdf_icon

AP9576GH

AP9576GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 100m Fast Switching Characteristic ID -14A G S Description G D The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial S TO-252(H) surface mount applications and suited for low volta

 7.1. Size:95K  ape
ap9576gm-hf.pdfpdf_icon

AP9576GH

AP9576GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS -60V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m D Fast Switching Characteristic ID -4A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

 7.2. Size:69K  ape
ap9576gm.pdfpdf_icon

AP9576GH

AP9576GM Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS -60V D D Simple Drive Requirement D RDS(ON) 90m D Fast Switching Characteristic ID -4A G S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best

 9.1. Size:98K  ape
ap9575gh ap9575gj.pdfpdf_icon

AP9576GH

AP9575GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Characteristic ID -15A G S Description G D The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial S TO-252(H) surface mount applications and suited for low voltage appl

Другие IGBT... AP9575AGM-HF, AP9575AGS-HF, AP9575GH-HF, AP9575GI-HF, AP9575GJ-HF, AP9575GM, AP9575GP-HF, AP9575GS-HF, AON7506, AP9576GJ, AP9576GM, AP9577GI, AP9578GH-HF, AP9578GJ-HF, AP9578GM, AP9578GP, AP9578GS