Справочник MOSFET. AP9578GJ-HF

 

AP9578GJ-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9578GJ-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9578GJ-HF Datasheet (PDF)

 6.1. Size:217K  ape
ap9578gh ap9578gj.pdfpdf_icon

AP9578GJ-HF

AP9578GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID -10AGSDescriptionGDThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialSTO-252(H)surface mount applications and suited for low volt

 7.1. Size:232K  ape
ap9578gh.pdfpdf_icon

AP9578GJ-HF

AP9578GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance D BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID -10AGSDescriptionAP9578 series are from Advanced Power innovated design andGDSsilicon process technology to achieve the lowest possible on-TO-252(H)

 7.2. Size:200K  ape
ap9578gs.pdfpdf_icon

AP9578GJ-HF

AP9578GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID -10AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,STO-263(S)ruggedized device d

 7.3. Size:73K  ape
ap9578gi-hf.pdfpdf_icon

AP9578GJ-HF

AP9578GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID -9AG Halogen Free & RoHS CompliantSDescriptionAP9578 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest p

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SQD50N06-07L | SM4410 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | RJK0329DPB-01 | SRC60R022FBS | PK6A6BA

 

 
Back to Top

 


 
.