AP9578GS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9578GS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для AP9578GS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9578GS даташит

 ..1. Size:200K  ape
 ap9578gs.pdf pdf_icon

AP9578GS

AP9578GS/P RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID -10A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D designer with the best combination of fast switching, S TO-263(S) ruggedized device d

 7.1. Size:232K  ape
 ap9578gh.pdf pdf_icon

AP9578GS

AP9578GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance D BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID -10A G S Description AP9578 series are from Advanced Power innovated design and G D S silicon process technology to achieve the lowest possible on- TO-252(H)

 7.2. Size:73K  ape
 ap9578gi-hf.pdf pdf_icon

AP9578GS

AP9578GI-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID -9A G Halogen Free & RoHS Compliant S Description AP9578 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest p

 7.3. Size:196K  ape
 ap9578gp.pdf pdf_icon

AP9578GS

AP9578GS/P RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID -10A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with G D the best combination of fast switching, ruggedized device design, low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9576GH, AP9576GJ, AP9576GM, AP9577GI, AP9578GH-HF, AP9578GJ-HF, AP9578GM, AP9578GP, IRF1407, AP9579GH-HF, AP9579GI-HF, AP9579GJ-HF, AP9579GM-HF, AP9579GP-HF, AP9579GS-HF, AP9581GP-HF, AP9581GS-HF