AP9585GJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9585GJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для AP9585GJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9585GJ даташит

 ..1. Size:102K  ape
 ap9585gh ap9585gj.pdf pdf_icon

AP9585GJ

AP9585GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -80V Simple Drive Requirement RDS(ON) 180m Fast Switching Characteristic ID -11.2A G S Description G D The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial S TO-252(H) surface mount applications and suited for low volta

 7.1. Size:95K  ape
 ap9585gm-hf.pdf pdf_icon

AP9585GJ

AP9585GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -80V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 180m D Fast Switching Characteristic ID -2.7A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination o

 7.2. Size:205K  ape
 ap9585gm.pdf pdf_icon

AP9585GJ

AP9585GM RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -80V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 180m D Fast Switching Characteristic ID -2.7A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device

 9.1. Size:93K  ape
 ap9581gs-hf.pdf pdf_icon

AP9585GJ

AP9581GS-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS -80V Simple Drive Requirement RDS(ON) 15m Fast Switching Characteristic ID -95A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9579GI-HF, AP9579GJ-HF, AP9579GM-HF, AP9579GP-HF, AP9579GS-HF, AP9581GP-HF, AP9581GS-HF, AP9585GH, IRF2807, AP9585GM, AP9585GM-HF, AP9587GH-HF, AP9587GJ-HF, AP9591GP-HF, AP95N25W, AP95T06AGP, AP95T06BGP