AP9770GT-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9770GT-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.08 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для AP9770GT-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9770GT-HF даташит

 ..1. Size:93K  ape
 ap9770gt-hf.pdf pdf_icon

AP9770GT-HF

AP9770GT-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -60V Through Hole Type RDS(ON) 500m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -1.5A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness.

Другие IGBT... AP95T10GP-HF, AP95T10GW-HF, AP95T11GI-HF, AP95U03GMT-HF, AP9620AGM-HF, AP9620GM-HF, AP96T07GP-HF, AP96T07GS-HF, IRFZ44N, AP97T07AGP-HF, AP97T07GP-HF, AP97T07GR-HF, AP97T07GW-HF, AP9870GH-HF, AP9871GH-HF, AP98T03GP-HF, AP98T03GS-HF