AP9918GJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9918GJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 83 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для AP9918GJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9918GJ даташит

 ..1. Size:81K  ape
 ap9918gj.pdf pdf_icon

AP9918GJ

AP9918GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A G Surface mount package S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-2

 ..2. Size:214K  ape
 ap9918gh ap9918gj.pdf pdf_icon

AP9918GJ

AP9918GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A Surface mount package G S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, ruggediz

 8.1. Size:104K  1
 ap9918h ap9918j.pdf pdf_icon

AP9918GJ

AP9918H/J Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A G Surface mount package S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the b

 9.1. Size:83K  ape
 ap9915h ap9915j.pdf pdf_icon

AP9918GJ

AP9915H/J Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 50m Low drive current ID 20A G Single Drive Requirement S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with th

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9871GH-HF, AP98T03GP-HF, AP98T03GS-HF, AP98T03GW-HF, AP98T06GI-HF, AP98T06GP, AP98T06GS-HF, AP98T07GP-HF, IRF640N, AP9920GEO, AP9922AGEO-HF, AP9922GEO-HF, AP9923GEO-HF, AP9924AGO-HF, AP9924GO, AP9926GEM, AP9926GEO-HF