Справочник MOSFET. AP9918GJ

 

AP9918GJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9918GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 83 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для AP9918GJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9918GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:81K  ape
 ap9918gj.pdf pdf_icon

AP9918GJ

AP9918GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 20V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A GSurface mount package SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-2

 ..2. Size:214K  ape
 ap9918gh ap9918gj.pdf pdf_icon

AP9918GJ

AP9918GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20VD Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A Surface mount package GSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast switching,ruggediz

 8.1. Size:104K  1
 ap9918h ap9918j.pdf pdf_icon

AP9918GJ

AP9918H/JAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 20V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A GSurface mount package SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the b

 9.1. Size:83K  ape
 ap9915h ap9915j.pdf pdf_icon

AP9918GJ

AP9915H/JAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 20V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 50m Low drive current ID 20A GSingle Drive Requirement SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with th

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9871GH-HF , AP98T03GP-HF , AP98T03GS-HF , AP98T03GW-HF , AP98T06GI-HF , AP98T06GP , AP98T06GS-HF , AP98T07GP-HF , IRF630 , AP9920GEO , AP9922AGEO-HF , AP9922GEO-HF , AP9923GEO-HF , AP9924AGO-HF , AP9924GO , AP9926GEM , AP9926GEO-HF .

History: 2SK3012

 

 
Back to Top

 


 
.