AP9934GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9934GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3(3.6) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130(140) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048(0.072) Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP9934GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9934GM даташит

 ..1. Size:96K  ape
ap9934gm.pdfpdf_icon

AP9934GM

AP9934GM Pb Free Plating Product Advanced Power 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET P2G Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V N2D/P2D Low On-resistance RDS(ON) 48m P1S/P2S P1G Full Bridge Application on ID 4.3A N2G N1S/N2S LCD Monitor Inverter P-CH BVDSS -35V N1D/P1D N1G SO-8 RDS(ON) 72

 9.1. Size:86K  ape
ap9930gm-hf.pdfpdf_icon

AP9934GM

AP9930GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement P2G Low On-resistance N-CH BVDSS 30V N2D/P2D Full Bridge Application on RDS(ON) 33m P1S/P2S P1G LCD Monitor Inverter ID 5.5A N2G N1S/N2S RoHS Compliant P-CH BVDSS -30V N1D/P1D N1G SO-8 RDS(ON) 55m Description ID -4.1A

 9.2. Size:73K  ape
ap9938gem-hf.pdfpdf_icon

AP9934GM

AP9938GEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Simple Drive Requirement BVDSS 20V D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 18m D1 Fast Switching Performance ID 8.5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description AP9938 series are from Advanced Power innovated design and D1 D2 silicon pr

 9.3. Size:203K  ape
ap9936gm-hf.pdfpdf_icon

AP9934GM

AP9936GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET DC-DC Application BVDSS 30V D2 D2 D1 Dual N-channel Device RDS(ON) 50m D1 Surface Mount Package ID 5A G2 S2 RoHS Compliant G1 SO-8 S1 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,

Другие IGBT... AP9926GEO-HF, AP9926GM-HF, AP9926GO, AP9928GEM, AP9928GEO, AP9930AGM, AP9930GM-HF, AP9932GM, 2SK3878, AP9936GM-HF, AP9938AGEY-HF, AP9938GEM-HF, AP9938GEO-HF, AP9950AGH-HF, AP9950AGP-HF, AP9950GP, AP9952GP-HF