AP9962AGJ-HF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP9962AGJ-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для AP9962AGJ-HF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP9962AGJ-HF даташит
ap9962agh-hf ap9962agj-hf ap9962agj-hf.pdf
AP9962AGH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Single Drive Requirement RDS(ON) 20m Surface Mount Package ID 32A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G D ruggedized
ap9962agm-hf.pdf
AP9962AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40V D2 D2 D1 Single Drive Requirement RDS(ON) 25m D1 Surface Mount Package ID 7A G2 S2 RoHS Compliant G1 S1 SO-8 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D2 D1 designer with the best combination of fast switchin
ap9962agp-hf.pdf
AP9962AGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 20m Fast Switching Characteristic ID 32A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized
ap9962agd.pdf
AP9962AGD RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40V D2 D2 D1 Single Drive Requirement RDS(ON) 25m D1 PDIP-8 Package ID 7A G2 S2 G1 PDIP-8 S1 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desi
Другие IGBT... AP9952GP-HF, AP9960AGM-HF, AP9960GD, AP9960GH, AP9960GJ, AP9960GM-HF, AP9962AGD, AP9962AGH, 5N65, AP9962AGM-HF, AP9962AGP-HF, AP9962BGH-HF, AP9962GH, AP9962GJ, AP9962GMA, AP9962GM-HF, AP9963AGP-HF
History: P4404EI
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet







