AP9964GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9964GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP9964GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9964GM даташит

 ..1. Size:93K  ape
ap9964gm.pdfpdf_icon

AP9964GM

AP9964GM RoHS-compliant Product Advanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 40V D2 D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 16m D1 D1 Dual N MOSFET Package ID 9A G2 S2 G1 S1 SO-8 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D2 D1 designer with the best combination of fast switching, ruggedized de

 9.1. Size:95K  ape
ap9963gp-hf.pdfpdf_icon

AP9964GM

AP9963GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 40V Low Gate Charge RDS(ON) 4m Fast Switching Characteristic ID 160A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugge

 9.2. Size:57K  ape
ap9967gh-hf.pdfpdf_icon

AP9964GM

AP9967GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 13.5m Fast Switching Characteristic ID 33A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D designer with the best combination of fast switching,

 9.3. Size:204K  ape
ap9962agm-hf.pdfpdf_icon

AP9964GM

AP9962AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40V D2 D2 D1 Single Drive Requirement RDS(ON) 25m D1 Surface Mount Package ID 7A G2 S2 RoHS Compliant G1 S1 SO-8 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D2 D1 designer with the best combination of fast switchin

Другие IGBT... AP9962GJ, AP9962GMA, AP9962GM-HF, AP9963AGP-HF, AP9963AGS-HF, AP9963GI-HF, AP9963GP-HF, AP9963GS-HF, 4N60, AP9965GEH, AP9965GEJ, AP9965GEM, AP9965GYT-HF, AP9966GM-HF, AP9967GH-HF, AP9970AGP-HF, AP9970GI-HF