Справочник MOSFET. AP9965GEH

 

AP9965GEH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9965GEH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9965GEH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  ape
ap9965geh ap9965gej.pdfpdf_icon

AP9965GEH

AP9965GEH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 40VD Simple Drive Requirement G RDS(ON) 28m Fast Switching Characteristic ID 27ASDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the GDSdesigner with the best combination of fast switching,TO-252(H)ruggedized device de

 6.1. Size:126K  ape
ap9965gem.pdfpdf_icon

AP9965GEH

AP9965GEMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 40VD2D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 28mD1D1 Dual N MOSFET Package ID 6.7AG2 RoHS CompliantS2G1SO-8S1DescriptionD1 D2The Advanced Power MOSFETs from APEC provide theG1 G2designer with the best combination of f

 7.1. Size:60K  ape
ap9965gyt-hf.pdfpdf_icon

AP9965GEH

AP9965GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 40VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 21mG RoHS Compliant & Halogen-Free ID 10ASDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized device design

 9.1. Size:95K  ape
ap9963gp-hf.pdfpdf_icon

AP9965GEH

AP9963GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 40V Low Gate Charge RDS(ON) 4m Fast Switching Characteristic ID 160AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, rugge

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AP9971AGS | PMPB29XNEA | STP5NB40 | CS4N65U | TPC8012-H | IXFH22N50P | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.