AP9965GEM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9965GEM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP9965GEM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9965GEM даташит

 ..1. Size:126K  ape
ap9965gem.pdfpdf_icon

AP9965GEM

AP9965GEM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 40V D2 D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 28m D1 D1 Dual N MOSFET Package ID 6.7A G2 RoHS Compliant S2 G1 SO-8 S1 Description D1 D2 The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G1 G2 designer with the best combination of f

 6.1. Size:134K  ape
ap9965geh ap9965gej.pdfpdf_icon

AP9965GEM

AP9965GEH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 40V D Simple Drive Requirement G RDS(ON) 28m Fast Switching Characteristic ID 27A S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S designer with the best combination of fast switching, TO-252(H) ruggedized device de

 7.1. Size:60K  ape
ap9965gyt-hf.pdfpdf_icon

AP9965GEM

AP9965GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 40V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 21m G RoHS Compliant & Halogen-Free ID 10A S D D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design

 9.1. Size:95K  ape
ap9963gp-hf.pdfpdf_icon

AP9965GEM

AP9963GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 40V Low Gate Charge RDS(ON) 4m Fast Switching Characteristic ID 160A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugge

Другие IGBT... AP9963AGP-HF, AP9963AGS-HF, AP9963GI-HF, AP9963GP-HF, AP9963GS-HF, AP9964GM, AP9965GEH, AP9965GEJ, 2SK3568, AP9965GYT-HF, AP9966GM-HF, AP9967GH-HF, AP9970AGP-HF, AP9970GI-HF, AP9970GK-HF, AP9970GP-HF, AP9970GW-HF